屏蔽体总屏蔽效能 SE 的计算：R + A + B
电磁波穿过屏蔽体时会衰减，原因是能量发生了损耗。这部分损耗可以分为反射损耗和吸收损耗两类，加上内部多次反射的修正，就得到屏蔽体的总屏蔽效能。
SE 的组成
总屏蔽效能由下式确定：SE = R + A + B（dB）。
- R：表面单次反射衰减。电磁波进入屏蔽体要经过两个界面，发生两次反射，所以总的反射损耗是两个界面反射损耗之和。
- A：吸收衰减，即电磁波在屏蔽体内部传播时被消耗的部分。
- B：屏蔽体内部多次反射的修正项。当 A 大于 10 dB 时，B 可以忽略。
反射损耗与波阻抗
R 的计算公式随电磁波的类型而不同，需要分别按远场平面波、近区电场和近区磁场的波阻抗来计算。一般来说，波的阻抗与屏蔽体的阻抗相差越大，反射损耗就越高。
参数对 R 与 A 的影响
| 调整的参数 | R | A |
|---|---|---|
| 材料厚度 t 增大 | 不变 | 增大 |
| 频率 f 增大 | 减小 | 增大 |
| 磁导率 μr 增大 | 减小 | 增大 |
| 电导率 σr 增大 | 增大 | 增大 |
参数向相反方向调整时，趋势相反。厚度增加会让 A 变大，B 的作用随之减弱。选材时应结合需要抑制的频率和场的类型，综合考虑这些参数。