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材料科学

电磁学

屏蔽体的总屏蔽效能SE计算

作者:小编2021-09-08 17:30:39

SE CALCULATION OF SHIELDING EFFECTIVENESS

 屏蔽体的总屏蔽效能SE计算

屏蔽体的总屏蔽效能SE计算(图1)

SE计算

电磁波在穿过屏蔽体是发生衰减是因为能量有了损耗,这种损耗可以分成两个部分:反射损耗和吸收损耗。

反射损耗:当电磁波入射到不同媒质的分界面时,就会发生反射,使穿过界面的电磁能量减弱。由于反射现象而造成的电磁能量损失称为反射损耗,用字母R表示。

当电磁波穿过一层屏蔽体时要经过两个界面,要发生两次反射。因此,电磁波穿过屏蔽体时的反射损耗等于两个界面上的射损反耗总和。

屏蔽体的总屏蔽效能SE由下式确定:
 SE = R + A+ B (dB) 式中

R为表面单次反射衰减 (R跟随不同情况的波阻抗有不同计算公式)

遥远平面波波阻抗

屏蔽体的总屏蔽效能SE计算(图2)

遥远平面波波阻抗反射衰减

近区电场的波阻抗

屏蔽体的总屏蔽效能SE计算(图3)

近区电场的波阻抗反射衰减

近区磁场的波阻抗

屏蔽体的总屏蔽效能SE计算(图4)

近区磁场的波阻抗反射衰减

反射损耗与波阻抗有关,波阻抗过度则反射损耗越高

A为吸收衰减

屏蔽体的总屏蔽效能SE计算(图5)

吸收衰减


B为内部多次反射衰减(A >10dB 时, B 部分可以忽略)

屏蔽体的总屏蔽效能SE计算(图6)

多次反射衰减

屏蔽体的总屏蔽效能SE计算(图7)

调整材料厚度

t变大,R不变,A变大,B变小

t变小,R不变,A变小,B变大

调整频率

f变大,R变小,A变大,B变大

f变小,R变大,A变小,B变小

调整磁导率

μr变大,R变小,A变大,B变大

μr变小,R变大,A变小,B变小

调整电导率

σr变大,R变大,A变大,B变大

σr变小,R变小,A变小,B变小